• IQ混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应管(MESFET)单片微波集成电路(MMIC)工艺
  • 密封插入式封装/现场可更换连接器
  • 军用级IQ混频器设计
  • 射频/本振宽带频率范围为4 GHz至38 GHz
  • L至R隔离典型值达45 dB
  • 输入IP3线性度最高可达35 dBm
  • 高镜像抑制度覆盖15至35 dB
  • L至R隔离典型值达45 dB

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射频(RF)和本振(LO)IQ混频器,工作频段为4 GHz至38 GHz

零件编号


(GHz)

增益

谐波

(dBc)

饱和输出功率

(瓦特)

功率附加效率

(%)

TTL

控制

直流电源

(Volts/Amps)

产品

尺寸

长(英寸)X 宽(英寸)X 高(英寸)

连接器

类型

ECCN

零件编号

射频 & 本振
频段
(GHz)

IF
频段
(GHz)

本振
驱动功率
(dBm)

镜像抑制混频器
变频损耗
(dB)

镜像
抑制度
(dB)

L至R
隔离
(dB)

输入1 dB
压缩点
(dBm)

输入IP3
(dBm)

现场
可更换
连接器

IQ混频器,工作频率为4 GHz至8.5 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+15 dBm,现场可更换SMA   PE86X9000

4至8.5

DC ~3.5

+15

7.5

35

40

+15

+35

SMA

  • 说明IQ混频器,工作频率为4 GHz至8.5 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+15 dBm,现场可更换SMA
  • 说明IQ混频器,工作频率为4 GHz至8.5 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+15 dBm,现场可更换SMA
  • 说明IQ混频器,工作频率为4 GHz至8.5 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+15 dBm,现场可更换SMA
  • 说明IQ混频器,工作频率为4 GHz至8.5 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+15 dBm,现场可更换SMA
                 


IQ混频器,工作频率为6 GHz至10 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+19 dBm,现场可更换SMA   PE86X9001

6至10

DC ~3.5

+19

7.5

35

45

+15

+25

SMA

  • 说明IQ混频器,工作频率为6 GHz至10 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+19 dBm,现场可更换SMA
  • 说明IQ混频器,工作频率为6 GHz至10 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+19 dBm,现场可更换SMA
  • 说明IQ混频器,工作频率为6 GHz至10 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+19 dBm,现场可更换SMA
  • 说明IQ混频器,工作频率为6 GHz至10 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+19 dBm,现场可更换SMA
                 


IQ混频器,工作频率为8.5 GHz至13.5 GHz,IF范围为DC ~2 GHz,本振功率+19 dBm,现场可更换SMA   PE86X9002

8.5至13.5

DC ~2

+15

8

28

38

+17

+25

SMA

  • 说明IQ混频器,工作频率为8.5 GHz至13.5 GHz,IF范围为DC ~2 GHz,本振功率+19 dBm,现场可更换SMA
  • 说明IQ混频器,工作频率为8.5 GHz至13.5 GHz,IF范围为DC ~2 GHz,本振功率+19 dBm,现场可更换SMA
  • 说明IQ混频器,工作频率为8.5 GHz至13.5 GHz,IF范围为DC ~2 GHz,本振功率+19 dBm,现场可更换SMA
  • 说明IQ混频器,工作频率为8.5 GHz至13.5 GHz,IF范围为DC ~2 GHz,本振功率+19 dBm,现场可更换SMA
                 


IQ混频器,工作频率为11 GHz至16 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+19 dBm,现场可更换SMA   PE86X9003

11至16

DC ~3.5

+19

9

30

35

+20

+28

SMA

  • 说明IQ混频器,工作频率为11 GHz至16 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+19 dBm,现场可更换SMA
  • 说明IQ混频器,工作频率为11 GHz至16 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+19 dBm,现场可更换SMA
  • 说明IQ混频器,工作频率为11 GHz至16 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+19 dBm,现场可更换SMA
  • 说明IQ混频器,工作频率为11 GHz至16 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+19 dBm,现场可更换SMA
                 


IQ混频器,工作频率为15 GHz至23 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+17 dBm,现场可更换SMA   PE86X9004

15至23

DC ~3.5

+17

8

30

35

+15

+25

SMA

  • 说明IQ混频器,工作频率为15 GHz至23 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+17 dBm,现场可更换SMA
  • 说明IQ混频器,工作频率为15 GHz至23 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+17 dBm,现场可更换SMA
  • 说明IQ混频器,工作频率为15 GHz至23 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+17 dBm,现场可更换SMA
  • 说明IQ混频器,工作频率为15 GHz至23 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+17 dBm,现场可更换SMA
                 


IQ混频器,工作频率为20 GHz至31 GHz,IF范围为DC ~4.5 GHz,本振功率+17 dBm,现场可更换2.92mm   PE86X9005

20至31

DC ~4.5

+17

10

24

42

+17

+22.5

2.92mm / SMA

  • 说明IQ混频器,工作频率为20 GHz至31 GHz,IF范围为DC ~4.5 GHz,本振功率+17 dBm,现场可更换2.92mm
  • 说明IQ混频器,工作频率为20 GHz至31 GHz,IF范围为DC ~4.5 GHz,本振功率+17 dBm,现场可更换2.92mm
  • 说明IQ混频器,工作频率为20 GHz至31 GHz,IF范围为DC ~4.5 GHz,本振功率+17 dBm,现场可更换2.92mm
  • 说明IQ混频器,工作频率为20 GHz至31 GHz,IF范围为DC ~4.5 GHz,本振功率+17 dBm,现场可更换2.92mm
                 


IQ混频器,工作频率为30 GHz至38 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+17 dBm,现场可更换2.92mm   PE86X9006

30至38

DC ~3.5

+19

10.5

15

35

+17

+19

2.92mm / SMA

  • 说明IQ混频器,工作频率为30 GHz至38 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+17 dBm,现场可更换2.92mm
  • 说明IQ混频器,工作频率为30 GHz至38 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+17 dBm,现场可更换2.92mm
  • 说明IQ混频器,工作频率为30 GHz至38 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+17 dBm,现场可更换2.92mm
  • 说明IQ混频器,工作频率为30 GHz至38 GHz,IF范围为DC ~3.5 GHz,本振功率+17 dBm,现场可更换2.92mm
                 


IQ混频器系列

Pasternack全新IQ混频器系列,其模块由基于MMIC的组件构成,此类组件采用了高可靠性GaAs MESFET半导体工艺。IQ混频器GaAs MESFET半导体工艺由一对相互匹配的双平衡混频器单元、90度电桥以及0度分配器/合成器组成。与分立的模块组件相比,这种集成水平在尺寸和性能方面具有优势。

通过添加外部90度IF电桥模块,此类IQ混频器既可配置为镜像抑制混频器,也可配置为单边带上变频混频器。镜像抑制和边带抑制消除了对预选滤波的需求,从而可降低系统整体的成本和复杂度。

当用作镜像抑制混频器(IRM)时,上述IQ混频器包括如下性能特征:7.5至10 dBm的低变频损耗、高达35 dB的典型镜像抑制度、高达42 dB的典型本振至射频隔离度。上述混频器提供输入1 dB压缩功率高达+20 dB(典型值)且输入IP3高达+35 dB(典型值)的优异线性度。本振驱动功率范围为+15至+19 dBm。

Pasternack的IQ混频器均采用密封插入式可伐合金(Kovar™)金属封装,此类封装具有金包镍镀层且支持可现场更换SMA连接器。所有上述产品均符合RoHS标准,出口类型为EAR99,且保证满足MIL-STD-883标准的精疏泄漏及温度循环环境测试条件。Pasternack的IQ混频器均有现货,支持当天发货。

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