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零件编号
频
段
(GHz)
增益
谐波
(dBc)
饱和输出功率
(瓦特)
功率附加效率
(%)
TTL
控制
直流电源
(Volts/Amps)
产品
尺寸
长(英寸)X 宽(英寸)X 高(英寸)
连接器
类型
ECCN
零件编号
射频 & 本振
频段
(GHz)
IF
频段
(GHz)
本振
驱动功率
(dBm)
镜像抑制混频器
变频损耗
(dB)
镜像
抑制度
(dB)
L至R
隔离
(dB)
输入1 dB
压缩点
(dBm)
输入IP3
(dBm)
现场
可更换
连接器
![]() |
PE86X9000 | 4至8.5 |
DC ~3.5 |
+15 |
7.5 |
35 |
40 |
+15 |
+35 |
SMA |
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![]() |
PE86X9001 | 6至10 |
DC ~3.5 |
+19 |
7.5 |
35 |
45 |
+15 |
+25 |
SMA |
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![]() |
PE86X9002 | 8.5至13.5 |
DC ~2 |
+15 |
8 |
28 |
38 |
+17 |
+25 |
SMA |
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![]() |
PE86X9003 | 11至16 |
DC ~3.5 |
+19 |
9 |
30 |
35 |
+20 |
+28 |
SMA |
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![]() |
PE86X9004 | 15至23 |
DC ~3.5 |
+17 |
8 |
30 |
35 |
+15 |
+25 |
SMA |
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![]() |
PE86X9005 | 20至31 |
DC ~4.5 |
+17 |
10 |
24 |
42 |
+17 |
+22.5 |
2.92mm / SMA |
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![]() |
PE86X9006 | 30至38 |
DC ~3.5 |
+19 |
10.5 |
15 |
35 |
+17 |
+19 |
2.92mm / SMA |
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IQ混频器系列
Pasternack全新IQ混频器系列,其模块由基于MMIC的组件构成,此类组件采用了高可靠性GaAs MESFET半导体工艺。IQ混频器GaAs MESFET半导体工艺由一对相互匹配的双平衡混频器单元、90度电桥以及0度分配器/合成器组成。与分立的模块组件相比,这种集成水平在尺寸和性能方面具有优势。
通过添加外部90度IF电桥模块,此类IQ混频器既可配置为镜像抑制混频器,也可配置为单边带上变频混频器。镜像抑制和边带抑制消除了对预选滤波的需求,从而可降低系统整体的成本和复杂度。
当用作镜像抑制混频器(IRM)时,上述IQ混频器包括如下性能特征:7.5至10 dBm的低变频损耗、高达35 dB的典型镜像抑制度、高达42 dB的典型本振至射频隔离度。上述混频器提供输入1 dB压缩功率高达+20 dB(典型值)且输入IP3高达+35 dB(典型值)的优异线性度。本振驱动功率范围为+15至+19 dBm。
Pasternack的IQ混频器均采用密封插入式可伐合金(Kovar™)金属封装,此类封装具有金包镍镀层且支持可现场更换SMA连接器。所有上述产品均符合RoHS标准,出口类型为EAR99,且保证满足MIL-STD-883标准的精疏泄漏及温度循环环境测试条件。Pasternack的IQ混频器均有现货,支持当天发货。
如需完整的Pasternack产品清单,请点击这里。